供给端：产能扩张受限
2024-2025年的行业下行周期导致各大NAND厂商大幅削减资本支出，推迟了新产线的建设计划。进入2026年，虽然需求强劲复苏，但产能恢复需要12-18个月的周期，导致供给弹性严重不足。
从技术层面看，3D NAND的层数竞赛已进入200+层时代（三星V9 236层、美光G9 276层），但高层数堆叠带来的良率挑战和设备投资压力，使得有效产能增长放缓。同时，QLC（四层单元）虽然提升了单位面积的存储密度，但其耐久性限制使其难以完全替代TLC在企业级市场的地位。
需求端：AI与数据中心驱动增长
AI训练和推理工作负载对高性能SSD的需求呈爆发式增长。单台AI训练服务器通常配置50-100TB的NVMe SSD用于数据集存储和模型检查点。随着AI服务器出货量的快速增长，企业级SSD对NAND Flash的消耗量大幅提升。
此外，智能手机存储容量的持续升级（旗舰机型已标配512GB-1TB）、PC SSD容量从512GB向1-2TB迁移，以及汽车智能化带来的车载存储需求，共同推动NAND Flash需求的全面增长。
价格走势预判
综合供需分析，2026年NAND Flash合约价预计全年维持上涨态势。Q1-Q2涨幅约10-15%/季度，下半年随着部分新产能释放，涨幅可能收窄至5-10%/季度。全年累计涨幅预计在30-50%区间。
现货市场由于流通库存偏低，价格波动将更为剧烈，为具备渠道优势的分销商创造了显著的套利空间。
军航科工的NAND Flash业务
军航科工半导体提供SLC/MLC/TLC/QLC全系列NAND Flash颗粒和SSD成品，覆盖工业级、企业级和消费级应用。我们的专业团队可为客户提供供应链风险管理建议和灵活的库存策略方案。