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据TrendForce最新报告，2026年全球功率半导体市场规模预计突破580亿美元，其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）器件将成为核心增长引擎。SiC器件受益于新能源汽车800V高压平台的大规模量产，市场渗透率有望从2025年的15%提升至22%。GaN器件则在消费电子快充、数据中心电源和5G基站领域持续放量。军航科工半导体作为功率半导体核心分销商，已提前布局SiC/GaN全系列产品线，为客户提供从选型到量产的全流程技术支持。
随着全球光伏装机量持续攀升，逆变器作为光伏系统的核心设备，对功率器件的效率和可靠性提出了更高要求。碳化硅MOSFET凭借其低导通电阻、高开关频率和优异的高温性能，可将逆变器转换效率提升至99%以上，同时显著减小散热系统体积。本文深入分析SiC MOSFET在组串式和集中式逆变器中的应用方案，并探讨如何通过优化驱动电路和并联设计实现成本与性能的最佳平衡。
IGBT模块作为新能源汽车电驱系统的核心功率器件，直接影响整车的动力性能、能耗效率和可靠性。从早期的平面栅IGBT到最新的第七代沟槽栅FS-IGBT，芯片技术的每一次迭代都带来了显著的性能提升。本文系统梳理了IGBT模块在电驱系统中的技术演进路线，从额定电压、电流等级、封装形式、热管理设计等维度提供选型建议，帮助工程师在400V和800V平台之间做出最优选择。
AI大模型训练对算力的爆发式需求正在重塑数据中心电源架构。传统12V母线架构已难以满足单机柜功率密度超过100kW的需求，48V直流配电成为行业共识。GaN功率器件凭借其极低的开关损耗和超高的功率密度，在48V-to-1V多相降压转换器中展现出巨大优势，可将电源转换效率提升至97%以上。本文探讨GaN器件在AI服务器电源中的技术方案和设计挑战。
在汽车电子智能化和国产替代双重驱动下，国产MCU厂商正加速向车规级市场渗透。从车身控制到域控制器，国产MCU已在多个细分领域实现量产上车。然而，车规级芯片对功能安全（ISO 26262）、可靠性验证（AEC-Q100）和长期供货保障的严苛要求，仍是国产厂商需要持续攻克的难关。本文分析国产车规MCU的技术进展、认证现状和市场机遇，为整车厂和Tier1供应商的选型决策提供参考。
第三代半导体（SiC/GaN）产业链涵盖衬底材料、外延片、芯片设计、晶圆制造、封装测试和模块集成等环节。近年来，国内企业在6英寸SiC衬底、GaN-on-Si外延等关键环节取得重要突破，部分产品已进入国际一线客户供应链。本文从产业链各环节的技术壁垒、竞争格局和国产化率三个维度进行深度解析，展望第三代半导体国产替代的时间表和投资机遇。
高性能伺服驱动器是工业自动化的核心装备，其控制精度和响应速度直接决定了生产线的效率和良率。DSP擅长复杂算法运算（如FOC矢量控制、自适应PID），而FPGA则在高速PWM生成、多轴同步和实时通信协议处理方面具有不可替代的优势。本文探讨DSP+FPGA异构架构在伺服驱动器中的协同设计方案，分析如何通过合理的任务分配实现微秒级控制响应和纳秒级PWM精度。
大规模储能系统的安全性和效率高度依赖于电池管理系统（BMS）的设计水平。BMS中的功率器件（IGBT/MOSFET）负责电池组的充放电控制和均衡管理，而MCU则承担电压/电流/温度采集、SOC估算和故障诊断等核心算法。本文从系统架构角度分析功率器件与MCU的协同优化策略，探讨如何在保障安全性的前提下提升储能系统的循环效率和使用寿命。
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